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碳化硅砖是一种将高纯度碳化硅粗粉和高活性碳化硅微粉混合，经注浆成型后在2450℃高温下进行真空烧结使其再结晶而形成的高技术碳化硅材料，其理化指标为：MgO70～85％，C l0～20％，显气孔率≤3％，体积密度2.87g／cm3，耐压强度40～50MPa，1400℃抗折强度l0～15MPa。

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粘土结合的碳化硅制品在配料中可以纯净Si02细粉代替结合粘土，并采用上述粘土结合碳化硅制品的生产方法制成氧化物结合碳化硅制品。Si02组分在坯体烧成时，在SiC颗粒表面形成sich薄膜，将SiC颗粒结合为整体。

碳化硅砖，耐火温度1650,导热系数（常温）等级低温弯折≤断裂伸长率抗弯强度抗压强度拉伸强度使用温度撕裂强度芯材形态形状 产品特点：耐磨、耐腐蚀、热稳定性好、强度大、导热系数高等。

粘土结合和氧化物结合的碳化硅制品，含SiC的质量分数多为50％一90％，体积密度2.—2.55g／cm3，气孔率17％一24％，依制品组成和烧成温度而定。常温强度很高，上述密度的制品，一般耐压强度大于50一100MPa。热导率很高，在1000~2000下为3.99—10.58w／(m•℃)，其中粘土结合者较低，纯净Si02结合者较高。

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